ESAC83M-006R

更新时间： 2024-11-26 02:59:43

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富士电机 - FUJI		整流二极管肖特基二极管局域网
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描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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ESAC83M-006R 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	ISOLATED
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：	120 A	元件数量：	2
相数：	1	端子数量：	3
最大输出电流：	20 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	60 V
表面贴装：	NO	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

ESAC83M-006R 数据手册

(60V / 20A )

ESAC83M-006R (20A)

Outline drawings, mm

SCHOTTKY BARRIER DIODE

5.5^±0.3

15.5 ^±0.3

ø3.2 ^±0.2

3.2^+0.3

2.1^±0.3

1.6^±0.3

1.1^—⁺⁰⁰^.2^.1

3.5 ^±0.2

5.45^±0.2

5.45 ^±0.2

0.6^+0.2

1. Gate

2. Drain

3. Source

Features

Insulated package by fully molding

JEDEC

EIAJ

Low VF

Super high speed switching

Connection diagram

High reliability by planer design

Applications

High speed power switching

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings

Symbol

V^RRM

VRSM

V iso

Conditions

Item

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

Isolating voltage

tw=500ns, duty=1/40

1500

20*

Terminals-to-case,

AC. 1 min.

Square wave, duty=1/2

Tc=108°C

Average output current

Surge current

Sine wave

10ms

IFSM

120

Operating junction temperature

Storage temperature

-40 to +150

°C

Tstg

* Average forward current of centertap full wave connection

Electrical characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

Item

Unit

Symbol

VFM

Max.

0.58

Conditions

I^FM=8A

Forward voltage drop

Reverse current

VR=VRRM

°C/W

IRRM

Junction to case

Thermal resistance

Rth(j-c)

2.5

12 3

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