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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-3PF |
| 包装说明： | R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.83 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | GENERAL PURPOSE | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 120 A | 元件数量： | 2 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 60 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ESAC83M-006R | FUJI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| ESAC83M-006RR | FUJI |
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SILICON DIODE |
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| ESAC83M-006RR_10 | FUJI |
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Schottky Barrier Diode |
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| ESAC85-009 | FUJI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| ESAC85-009R | FUJI |
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SILICON DIODE |
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| ESAC85-009R_10 | FUJI |
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Schottky Barrier Diode |
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| ESAC85M-009 | FUJI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| ESAC87-009 | FUJI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| ESAC87M-009 | FUJI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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| ESAC87M-009R | FUJI |
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SCHOTTKY BARRIER DIODE |
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