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ESAC82M-006

更新时间: 2024-11-27 22:12:11
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富士电机 - FUJI 肖特基二极管
页数 文件大小 规格书
4页 77K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

ESAC82M-006 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-67
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.58 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:5 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:60 V最大反向电流:5000 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ESAC82M-006 数据手册

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