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ESAC82-006

更新时间： 2024-11-26 03:10:31

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富士电机 - FUJI		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
3页	54K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

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ESAC82-006 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	SC-46, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.24
其他特性：	HIGH RELIABILITY	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	2	相数：	1
端子数量：	3	最大输出电流：	10 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	60 V	表面贴装：	NO
技术：	SCHOTTKY	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE

ESAC82-006 数据手册

(60V / 10A )

ESAC82-006 (10A)

Outline drawings, mm

SCHOTTKY BARRIER DIODE

4.5^±0.2

10^+0.5

Ø3.6^±0.2

1.2

0.4

0.8

2.54

2.7

5.08

Features

Low VF

JEDEC

EIAJ

TO-220AB

SC-46

Super high speed switching

High reliability by planer design

Connection diagram

Applications

High speed power switching

Maximum ratings and characteristics

Absolute maximum ratings

Symbol

V^RRM

VRSM

Conditions

Item

Rating

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Non-repetitive peak reverse voltage

Average output current

Surge current

tw=500ns, duty=1/40

Square wave, duty=1/2

Tc=123°C

10*

Sine wave

10ms

IFSM

Operating junction temperature

Storage temperature

-40 to +150

°C

Tstg

* Average forward current of centertap full wave connection

Electrical characteristics (Ta=25°C Unless otherwise specified )

Item

Unit

Symbol

Conditions

Max.

I^FM=4.0A

Forward voltage drop

Reverse current

VFM

IRRM

0.58

VR=VRRM

Junction to case

Themal resistance

°C/W

3.0

Rth(j-c)

12 3

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