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ESAC33M-02D

更新时间: 2024-10-28 20:54:19
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富士电机 - FUJI 高压快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, SC-67, 3 PIN

ESAC33M-02D 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-67
包装说明:R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:HIGH VOLTAGE FAST RECOVERY
外壳连接:ISOLATED配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.4 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向电流:500 µA最大反向恢复时间:0.1 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

ESAC33M-02D 数据手册

  

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