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ESAC31-01N

更新时间: 2024-01-14 21:55:11
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富士电机 - FUJI 快速恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
1页 68K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 100V V(RRM), Silicon,

ESAC31-01N 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:FAST RECOVERY外壳连接:ANODE
配置:COMMON ANODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.25 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流:80 A
元件数量:2相数:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:10 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V最大反向电流:50 µA
最大反向恢复时间:0.3 µs子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

ESAC31-01N 数据手册

  

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