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ESAB85M-009

更新时间: 2024-10-27 22:18:31
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富士电机 - FUJI 整流二极管肖特基二极管局域网
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4页 72K
描述
SCHOTTKY BARRIER DIODE

ESAB85M-009 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SC-67
包装说明:R-PSFM-T3针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
Is Samacsys:N其他特性:HIGH RELIABILITY
应用:POWER外壳连接:ISOLATED
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:60 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最大输出电流:2.5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:90 V
表面贴装:NO技术:SCHOTTKY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

ESAB85M-009 数据手册

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