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ESAB33(CS)

更新时间: 2024-02-08 11:03:32
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富士电机 - FUJI 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 68K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

ESAB33(CS) 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE
应用:FAST SOFT RECOVERY配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:30 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.1 µs表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
Base Number Matches:1

ESAB33(CS) 数据手册

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
ESAB33-02(CS) FUJI 5A, 200V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

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