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ES3DB-7 PDF预览

ES3DB-7

更新时间： 2024-01-01 11:52:28
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
2页 86K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMB, 2 PIN

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ES3DB-7 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.4应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：235
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：200 V
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

ES3DB-7 数据手册

 浏览型号ES3DB-7的Datasheet PDF文件第2页 
ES3A/B - ES3D/B  
3.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER  
SPICE MODELS: ES3A ES3B ES3C  
ES3D ES3AB ES3BB ES3CB ES3DB  
Features  
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Super-Fast Recovery Time For High Efficiency  
Low Forward Voltage Drop and High Current  
Capability  
SMB  
Min  
SMC  
Min  
B
·
·
·
Surge Overload Rating to 100A Peak  
Ideally Suited for Automated Assembly  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Dim  
A
Max  
3.94  
4.57  
2.21  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.62  
Max  
6.22  
7.11  
3.18  
0.31  
8.13  
0.20  
1.52  
2.62  
3.30  
4.06  
1.96  
0.15  
5.00  
0.10  
0.76  
2.00  
5.59  
6.60  
2.75  
0.15  
7.75  
0.10  
0.76  
2.00  
A
J
C
D
B
C
D
Mechanical Data  
·
·
E
Case: Molded Plastic  
Terminals: Solder Plated Terminal - Solderable  
per MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
SMB Weight: 0.093 grams (approx.)  
SMC Weight: 0.21 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
G
H
G
H
J
·
·
·
·
·
E
All Dimensions in mm  
AB, BB, CB, DB Suffix Designates SMB Package  
A, B, C, D, Suffix Designates SMC Package  
Marking: Type Number  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
ES3A/B  
50  
ES3B/B  
100  
ES3C/B  
150  
ES3D/B  
200  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
35  
70  
105  
140  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 100°C  
3.0  
100  
0.9  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
A
Forward Voltage  
@ IF = 3.0A  
VFM  
IRM  
V
10  
500  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA 25°C  
=
mA  
@ TA = 125°C  
trr  
Cj  
Reverse Recovery Time (Note 3)  
25  
45  
15  
ns  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
RqJT  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
K/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Unit mounted on PC board with 5.0 mm2 (0.013 mm thick) copper pads as heat sink.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A. See Figure 5.  
DS14003 Rev. E1-2  
1 of 2  
ES3A/B - ES3D/B  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
12

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