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ES3D

更新时间： 2024-01-02 08:31:36

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		二极管光电二极管 IOT 超快速恢复二极管
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描述
SURFACE MOUNT RECTIFIER

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ES3D 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	应用：	EFFICIENCY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JEDEC-95代码：	DO-214AA	JESD-30 代码：	R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：	100 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	1000 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.035 µs	表面贴装：	YES
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

ES3D 数据手册

GALAXY ELECTRICAL

ES3A--- ES3G

VOLTAGE RANGE: 50 --- 400 V

SURFACE MOUNT RECTIFIER

CURRENT: 3.0 A

FEATURES

DO-214AB(SMC)

Low cost

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

Easily cleaned with Alcohol,Isopropanol

and similar solvents

The plastic material carries U/L recognition 94V-0

MECHANICAL DATA

Case:JEDEC DO-214AB,molded plastic

Terminals: Solderable per

MIL- STD-202,Method 208

Polarity: Color band denotes cathode

Weight: 0.007 ounces,0.21 grams

Mounting position: Any

inch(mm)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.

ES3A

ES3B

ES3C

ES3D

ES3G

UNITS

100

150

105

150

200

140

200

400

210

400

Device marking code

Maximum recurrent peak reverse voltage

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum RMS voltage

Maximum DC blocking voltage

Maximum average forward rectified current

100

I_F(AV)

3.0

@T =100

Peak forward surge current

8.3ms single half-sine-wave

I_FSM

100

superimposed on rated load @T_J=125

Maximum instantaneous forward voltage at3.0 A

V_F

I_R

0.90

1.25

Maximum reverse current

@T_A=25

at rated DC blocking voltage @T_A=100

Typical reverse recovery time (Note1)

500

t_rr

C_J

Typical junction capacitance

Typical thermal resistance

(Note2)

(Note3)

R_θ_JA

T_J

Operating junction temperature range

- 55 ---- + 150

Storage temperature range

T_STG

NOTE: 1. Measured with I_F=0.5A, I_R=1A, I_rr=0.25A.

www.galaxycn.com

2. Measured at 1.0MHZ and applied reverse voltage of 4.0VDC.

3. Thermal resistance f rom junction to ambient and junction to lead P.C.B.mounted on 0.27''X0.27''(7.0X7.0mm2) copper pad areas

BLGALAXY ELECTRICAL

Document Number 0280029

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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ES3D-13	DIODES	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMC, 2 PIN	获取价格
ES3D-13-F	DIODES	3.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER	获取价格
ES3D-5410/7	VISHAY	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AB,	获取价格
ES3D-7	DIODES	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, PLASTIC, SMC, 2 PIN	获取价格