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ES3AB PDF预览

ES3AB

更新时间： 2024-01-15 06:46:23
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical /
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
SURFACE MOUNT RECTIFIER

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ES3AB 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.57
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：1000 V最大反向电流：10 µA
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ES3AB 数据手册

 浏览型号ES3AB的Datasheet PDF文件第2页 
ES3AB--- ES3GB  
GALAXY ELECTRICAL  
BL  
VOLTAGE RANGE: 50 --- 400 V  
SURFACE MOUNT RECTIFIER  
CURRENT: 3.0 A  
FEATURES  
DO-214AA(SMB)  
Low cost  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Easily cleaned with Alcohol,Isopropanol  
and similar solvents  
The plastic material carries U/L recognition 94V-0  
MECHANICAL DATA  
Case:JEDEC DO-214AA,molded plastic  
Terminals: Solderable per  
MIL- STD-202,Method 208  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.007 ounces,0.21 grams  
Mounting position: Any  
inch(mm)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.  
ES3AB ES3BB  
ES3CB ES3DB ES3GB  
UNITS  
EA  
50  
35  
50  
EB  
100  
70  
EC  
150  
105  
150  
ED  
200  
140  
200  
EG  
400  
210  
400  
Device marking code  
Maximum recurrent peak reverse voltage  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum RMS voltage  
Maximum DC blocking voltage  
Maximum average forward rectified current  
100  
A
IF(AV)  
3.0  
@T =100  
A
Peak forward surge current  
A
8.3ms single half-sine-wave  
IFSM  
100  
superimposed on rated load @TJ=125  
Maximum instantaneous forward voltage at3.0 A  
V
VF  
IR  
0.90  
1.25  
Maximum reverse current  
@TA=25  
10  
A
at rated DC blocking voltage @TA=125  
500  
Typical reverse recovery time (Note1)  
ns  
trr  
25  
45  
35  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
(Note2)  
pF  
CJ  
Rθ  
40  
/W  
JA  
Operating junction temperature range  
TJ  
- 55 ---- + 150  
- 55 ---- + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
www.galaxycn.com  
2. Measured at 1.0MHZ and applied reverse voltage of 4.0VDC.  
3. Thermal resistance f rom junction to ambient and junction to lead P.C.B.mounted on 0.27''X0.27''(7.0X7.0mm2) copper pad areas  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
Document Number 0280030  
12

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