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ES2B PDF预览

ES2B

更新时间： 2024-11-02 11:11:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 功效光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 146K
描述
2.0A超快速恢复整流器

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ES2B 技术参数

是否无铅：不含铅生命周期：Active
包装说明：R-PDSO-C2Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.62
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：4659897Samacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Diodes Moulded Non Polarised
Samacsys Footprint Name：DO-214AASamacsys Released Date：2020-01-21 13:26:07
Is Samacsys：N应用：EFFICIENCY
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.9 V
JEDEC-95代码：DO-214AAJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：2 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大功率耗散：1.66 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.02 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ES2B 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
Fast Rectifiers  
ES2A-ES2D  
SMB  
CASE 403AF  
Features  
• For Surface Mount Applications  
• Glass−Passivated Junction  
• Low−Profile Package  
MARKING DIAGRAM  
• Easy Pick and Place  
• Built−in Strain Relief  
• Superfast Recovery Times for High Efficiency  
• These are Pb−Free Devices  
ZYWW  
ES2x  
(COLOR BAND DENOTES CATHODE)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Z
Y
= Assembly Plant Code  
= Year  
Symbol  
Parameter  
Value  
Unit  
WW  
ES2x  
= Work Week  
= Specific Device Code  
x = A, B, C, D  
V
RRM  
Maximum Repetitive Reverse Voltage  
V
ES2A  
ES2B  
ES2C  
ES2D  
50  
100  
150  
200  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information on page 3  
of this data sheet.  
I
Average Rectified Forward Current,  
2.0  
A
A
F(AV)  
0.375″ Lead Length at T = 115°C  
L
I
Non−Repetitive Peak Forward Surge  
Current, 8.3 ms Single Half−Sine Wave  
50  
FSM  
T
Storage Temperature Range  
−55 to +150  
−55 to +150  
°C  
°C  
STG  
T
J
Operating Junction Temperature Range  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Symbol  
Parameter  
Value  
1.66  
75  
Unit  
W
P
D
Power Dissipation  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Ambient (Note 1)  
°C/W  
θ
JA  
R
Thermal Resistance,  
Junction to Lead (Note 1)  
20  
°C/W  
θ
JL  
1. Device mounted on FR−4 PCB 0.013 mm.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Value  
ES2A  
ES2B  
ES2C  
ES2D  
Symbol  
Parameter  
Maximum Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
Test Conditions  
I = 2.0 A  
Unit  
V
V
F
0.90  
20  
F
t
rr  
I = 0.5 A, I = 1.0 A,  
ns  
F
RR  
R
I
= 0.25 A  
I
Maximum Reverse Current at Rated V  
T = 25_C  
10  
mA  
R
R
A
350  
T = 100_C  
A
C
Total Capacitance  
V
R
= 4.0 V, f = 1.0 MHz  
18  
pF  
T
Product parametric performance is indicated in the Electrical Characteristics for the listed test conditions, unless otherwise noted. Product  
performance may not be indicated by the Electrical Characteristics if operated under different conditions.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 2  
ES2D/D  
 
12345

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ES2B 替代型号

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