ES1K-TP

更新时间： 2024-02-20 13:24:57

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美微科 - MCC		整流二极管光电二极管
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4页	305K
描述
1 Amp Ultra Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts

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ES1K-TP 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.55
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	1.5 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

ES1K-TP 数据手册

NOT RECOMMENDED FOR NEW DESIGNS

USE ES1A-LTP~ES1J-LTP SERIES

M C C

ES1A

THRU

ES1M

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

•

Lead Free Finish/Rohs Compliant (Note1) ("P"Suffix designates

1 Amp Ultra Fast

Recovery

Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

Silicon Rectifier

50 to 1000 Volts

High Temp Soldering: 260qC for 10 Seconds At Terminals

Superfast Recovery Times For High Efficiency

Maximum Ratings

Operating Temperature: -50qC to +150qC

Storage Temperature: -50qC to +150qC

Maximum Thermal Resistance; 15qC/W Junction To Lead

DO-214AC

(HSMA) (High Profile)

MCC

Part

Number

Maximum

Recurrent

Marking Peak Reverse

Voltage

Maximum

RMS

Voltage

Maximum

Blocking

Voltage

50V

Device

Cathode Band

ES1A

ES1B

ES1C

ES1D

ES1G

ES1J

ES1K

ES1M

ES1A

ES1B

ES1C

ES1D

ES1G

ES1J

ES1K

ES1M

50V

100V

150V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

100V

150V

105V

140V

280V

420V

560V

700V

200V

400V

600V

800V

1000V

Electrical Characteristics @ 25qC Unless Otherwise Specified

Average Forward

Current

I_F(AV)

1.0A

T_a= 75qC

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.078

.067

.002

---

MIN

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

ES1A-D

ES1G-J

ES1K~M

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

I_FSM

30A

8.3ms, half sine

DIM

MAX

.116

.089

.008

.02

MAX

2.95

2.25

.20

NOTE

1.98

1.70

.05

---

.51

.035

.065

.205

.160

.100

.055

.096

.224

.180

.112

.89

1.40

2.45

5.69

4.57

2.84

1.65

5.21

4.06

2.57

V_F

.975V

1.35V

1.70V

I_FM= 1.0A;

T_J= 25qC*

SUGGESTED SOLDER

PAD LAYOUT

I_R

5PA

T_J= 25qC

0.090”

100PA T_J= 100qC

Maximum Reverse

Recovery Time

ES1A-D

0.085”

T_rr

C_J

50ns

75ns

100ns

I_F=0.5A, I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

ES1G-K

ES1M

0.070”

Typical Junction

Capacitance

45pF

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse test: Pulse width 200 Psec, Duty cycle 2%

Note: 1. High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex 7.

www.mccsemi.com

Revision: C

2013/01/01

1 of 4

12 3 4

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与ES1K-TP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
ES1K-TP-HF	MCC	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC, HSMA, 2 PIN	获取价格
ES1M	SSC	SUPER FAST SURFACE MOUNT RECTIFIERS	获取价格
ES1M	HTSEMI	1 Amp Super Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts	获取价格
ES1M	MCC	1 Amp Super Fast Recovery Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts	获取价格
ES1M	GOOD-ARK	Super Fast Surface Mount Rectifiers Reverse Voltage 50 to 1000 Volts Forward Current 1.0 A	获取价格
ES1M	SENSITRON	Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC, PLASTIC, SMA, 2 PIN	获取价格

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