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ES1JBF2

更新时间： 2024-01-17 00:33:01

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扬杰 - YANGJIE		光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	443K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

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ES1JBF2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMB, 2 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.55	其他特性：	FREE WHEELING DIODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-214AA
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向恢复时间：	0.035 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

ES1JBF2 数据手册

RoHS

ES1AB THRU ES1KB

COMPLIANT

Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier

Features

● Low profile package

● Ideal for automated placement

● Glass passivated chip junction

● High forward surge capability

● Super Fast reverse recovery time

● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak

of 260 °C

Typical Applications

For use in high frequency rectification of power

supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for

consumer and telecommunication.

Mechanical Data

●

ackage: DO-214AA (SMB

Molding compound meets UL 94 V-0 flammability

rating, RoHS-compliant, halogen-free

● Terminals: Tin plated leads, solderable per

J-STD-002 and JESD22-B102

●

Cathode line denotes the cathode end

Polarity:

(T =25℃ Unless otherwise specified

■

Maximum Ratings

）

ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB

Device marking code

100

150

200

300

1.0

400

500

600

800

Repetitive peak reverse voltage

RRM

Average rectified output current

@60Hz sine wave, resistance load,

TL (Fig.1)

Surge(non-repetitive)forward current

@60Hz half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃

FSM

℃

-55~+150

Storage temperature

Junction temperature

stg

（T =25℃ Unless otherwise specified）

■Electrical Characteristics

TEST

CONDITIONS

ES1AB ES1BB ES1CB ES1DB ES1FB ES1GB ES1HB ES1JB ES1KB

PARAMETER

SYMBOL

UNIT

Maximum instantaneous

forward voltage drop per diode

=1.0A

0.95

1.3

1.7

1.85

I_F=0.5A,I_R=1.0A,

I_rr=0.25A

Maximum reverse recovery time

T =25℃

5.0

Maximum DC reverse current at

rated DC blocking voltage per

diode @ VRM=VRRM

μA

RRM

T =125℃

100

1 / 5

Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.

S-S784

Rev. 2.2,06-Jun-16

www.21yangjie.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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