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ES1H

更新时间： 2024-11-19 15:18:19
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扬杰 - YANGJIE /
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5页 217K
描述
SMA

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ES1H 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.7 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：500 V最大反向恢复时间：0.035 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED

ES1H 数据手册

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RoHS  
ES1A THRU ES1K  
COMPLIANT  
Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier  
Features  
● Low profile package  
● Ideal for automated placement  
● Glass passivated chip junction  
● High forward surge capability  
● Super Fast reverse recovery time  
● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak  
of 260 °C  
Typical Applications  
For use in high frequency rectification of power supplies,  
inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer  
and telecommunication.  
Mechanical Data  
●
ackage: DO-214AC (SMA)  
P
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating, RoHS-compliant, halogen-free  
● Terminals: Tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD22-B102  
●
Cathode line denotes the cathode end  
Polarity:  
(T =25℃ Unless otherwise specified)  
■
Maximum Ratings  
a
ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J ES1K  
PARAMETER  
SYMBOL UNIT  
ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J ES1K  
Device marking code  
V
V
V
V
V
50  
35  
50  
100  
70  
150  
105  
150  
200  
140  
200  
300  
210  
300  
400  
280  
400  
500  
350  
500  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
RRM  
RMS  
V
100  
Maximum DC blocking Voltage  
DC  
IO  
Average rectified output current  
A
1.0  
30  
@ 60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1)  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
@60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃  
Forward Surge Current (Non-repetitive)  
IFSM  
A
60  
@1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃  
Current squared time  
@1ms≤t≤8.3ms Tj=25℃  
A2s  
I2t  
3.735  
T
-55 ~ +150  
-55 ~ +150  
Storage temperature  
stg  
℃
℃
T
j
Junction temperature  
(T =25℃ Unless otherwise specified)  
■Electrical Characteristics  
a
ES1A ES1B ES1C ES1D ES1F ES1G ES1H ES1J ES1K  
PARAMETER  
SYMBOL  
UNIT TEST CONDITIONS  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
V
I
=1.0A  
FM  
V
0.95  
1.3  
1.7  
1.85  
F
IF=0.5A,IR=1.0A,  
Irr=0.25A  
Maximum reverse recovery time  
trr  
ns  
35  
5
T =25℃  
j
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage  
I
μA  
pF  
R
100  
12  
T =125℃  
j
Measured at 1MHz  
and Applied Reverse  
Voltage of 4.0 V.D.C  
Typical junction capacitance  
Cj  
18  
8
10  
1 / 5  
S-S751  
Rev. 3.0,19-Sep-22  
Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.  
www.21yangjie.com  
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