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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> ES1G-13-F
ES1G-13-F PDF预览

ES1G-13-F

更新时间： 2024-02-28 14:15:39
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
3页 103K
描述
1.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER

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ES1G-13-F 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：R-PDSO-C2
Reach Compliance Code：unknown风险等级：4.45
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.25 V
JEDEC-95代码：DO-214ACJESD-30 代码：R-PDSO-C2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：400 V最大反向恢复时间：0.035 µs
反向测试电压：400 V表面贴装：YES
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

ES1G-13-F 数据手册

 浏览型号ES1G-13-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号ES1G-13-F的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: ES1A ES1B ES1C ES1D ES1G  
ES1A - ES1G  
1.0A SURFACE MOUNT SUPER-FAST RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
Super-Fast Recovery Time For High Efficiency  
Low Forward Voltage Drop and High Current Capability  
Surge Overload Rating to 30A Peak  
Ideally Suited for Automated Assembly  
Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 5)  
SMA  
B
Mechanical Data  
·
Dim  
A
Min  
2.29  
4.00  
1.27  
0.15  
4.80  
0.10  
0.76  
2.01  
Max  
2.92  
4.60  
1.63  
0.31  
5.59  
0.20  
1.52  
2.30  
Case: SMA  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability Classification  
Rating 94V-0  
A
J
B
C
D
C
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
D
Terminals: Lead Free Plating (Matte Tin Finish).  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
E
G
H
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band or Cathode Notch  
Marking: Type Number & Date Code: See Below  
Ordering Information: See Below  
G
J
H
E
Weight: 0.064 grams (approximate)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
ES1A  
50  
ES1B  
100  
70  
ES1C  
ES1D  
200  
ES1G  
400  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
150  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
35  
105  
1.0  
140  
280  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 110°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
30  
A
Forward Voltage Drop  
@ IF = 0.6A  
@ IF = 1.0A  
0.90  
0.98  
¾
1.25  
VFM  
IRM  
V
5.0  
200  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA  
= 25°C  
mA  
@ TA = 100°C  
trr  
CT  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
Typical Total Capacitance (Note 2)  
25  
10  
40  
35  
ns  
pF  
RqJT  
Tj, TSTG  
Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
(Note 4)  
Ordering Information  
Device*  
Packaging  
Shipping  
5000/Tape & Reel  
ES1x-13-F  
SMA  
Notes: 1. Measured with I = 0.5A, I = 1.0A, I = 0.25A. See figure 5.  
rr  
F
R
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2
3. Unit mounted on PC board with 5.0 mm (0.013 mm thick) copper pad as heat sink.  
4. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf. *x = Device type, e.g. ES1A-13-F.  
5. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
Marking Information  
XXXX = Product type marking code, ex. ES1A  
= Manufacturers’ code marking  
YWW = Date code marking  
Y = Last digit of year ex: 2 for 2002  
WW = Week code 01 to 52  
YWW  
XXXX  
DS14001 Rev. 11 - 2  
1 of 3  
ES1A - ES1G  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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