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ES1B-W

更新时间： 2024-11-18 13:42:39
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 91K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMA, 2 PIN

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ES1B-W 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：SMA, 2 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.55Is Samacsys：N
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AC
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.035 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

ES1B-W 数据手册

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ES1A  
THRU  
ES1J  
SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED  
SUPER FAST SILICON RECTIFIER  
VOLTAGE RANGE 50 to 600 Volts CURRENT 1.0 Ampere  
FEATURES  
* Glass passivated device  
* Ideal for surface mounted applications  
* Low leakage current  
* Metallurgically bonded construction  
* Mounting position: Any  
* Weight: 0.057 gram  
DO-214AC  
MECHANICAL DATA  
* Epoxy : Device has UL flammability classification 94V-0  
0.067 (1.70 )  
0.051 (1.29 )  
0.110 ( 2.79 )  
0.086 ( 2.18 )  
0.180 ( 4.57 )  
0.160 ( 4.06 )  
0.012 ( 0.305 )  
0.006 ( 0.152 )  
0.091 ( 2.31 )  
0.067 ( 1.70 )  
0.059 ( 1.50 )  
0.035 ( 0.89 )  
0.008 ( 0.203 )  
0.004 ( 0.102 )  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Resistive or inductive load.  
0.209 ( 5.31 )  
0.185 ( 4.70 )  
Dimensions in inches and (millimeters)  
O
MAXIMUM RATINGS (@ T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
RATINGS  
SYMBOL  
ES1A  
50  
ES1B  
100  
ES1C  
150  
ES1D  
200  
ES1E  
300  
ES1G  
ES1J  
UNITS  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
V
Volts  
Volts  
Volts  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
RRM  
105  
150  
V
35  
50  
70  
140  
200  
210  
300  
RMS  
100  
Maximum DC Blocking Voltage  
V
DC  
Maximum Average Forward Rectified Current  
A
I
1.0  
30  
Amps  
Amps  
at T = 55oC  
O
Peak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load (JEDEC method)  
I
FSM  
I2T  
A2S  
Typical Current Square Time  
3.7  
85  
R
QJA  
0C/W  
Typical Thermal Resistance (Note 4)  
R
35  
QJL  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
C
15  
10  
pF  
0C  
J
Operating and Storage Temperature Range  
T , T  
-55 to + 150  
J
STG  
O
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(@T  
A
=25 C unless otherwise noted)  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNITS  
Volts  
ES1A  
ES1B  
ES1C  
ES1D  
ES1E  
ES1G  
ES1J  
1.70  
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1.0A DC  
V
0.95  
1.25  
F
@T = 25oC  
A
5.0  
100  
35  
Maximum DC Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
MAmps  
I
R
@T = 100oC  
A
Maximum Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
nSec  
2015-11  
REV: A  
NOTES : 1. Reverse Recovery Test Conditions: I  
F
= 0.5A, I  
R
= -1.0A, IRR = -0.25A  
2. Measured at 1 MH  
Z
and applied reverse voltage of 4.0 volts  
3. “Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.  
4. Thermal Resistance : Mounted on PCB.  
12345678

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与ES1B-W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
ES1BWG PANJIT

获取价格

 		SMA(W)
ES1BWV RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 100 V;Forward Current Io : 1.0 A;Max Surge Current : 25 A;Forward Vol
ES1C SURGE

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ES1C TRSYS

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ES1C FAIRCHILD

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 		SURFACE MOUNT SUPERFAST RECTIFIER VOLTAGE - 50 to 600 Volts CURRENT - 1.0 Ampere
ES1C SUNMATE

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 		1.0A patch fast recovery diode 150V SMA series
ES1C LGE

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 		1.0 AMPS. Surface Mount Super Fast Rectifiers
ES1C GULFSEMI

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 		SURFACE MOUNT FAST ULTRAFAST RECTIFIER VOLTAG

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