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ES01AV1

更新时间： 2024-10-02 14:50:39

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三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	196K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 0.7A, Silicon

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ES01AV1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.63
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
元件数量：	1	端子数量：	2
最大输出电流：	0.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	1.5 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

ES01AV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

ES01A

１ Scope

The present specifications shall apply to Sanken silicon diode, ES01A.

２ Outline

Type

Silicon Rectifier Diode (Mesa type)

Resin Molded

Structure

Applications

Pulse Rectification, etc

３ Flammability

UL94V-0 (Equivalent)

４ Absolute maximum ratings

No.

Item

Symbol Unit

Rating

650

Conditions

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

T_j

600

Refer to derating curve

in Section 7

50Hz. Half-Sinewave,

one shot

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

Junction Temperature

0.7

°C

-40 to +150

Storage Temperature

T_stg

５ Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)

Symbo

No.

Item

Unit

Rating

Conditions

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

V_F

3.0 max.

10 max.

I_F=0.8A

V_R=V_RM

I_R

µA

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

µA

200 max.

V_R=V_RM, Ta=100°C

H･I_R

@ IF=IRP=10mA

trr1

trr2

µs

1.5 max.

0.6 max.

20 max.

90% Recovery point

@ IF=10mA, IRP=20mA,

75% Recovery point

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

Rth (j-l) °C/W

Between Junction and Lead

050707

1／3

61426-01

12 3

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