5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | O-XUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.82 |
| 其他特性： | LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C | 应用： | FAST RECOVERY POWER |
| 外壳连接： | CATHODE | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.95 V | JESD-30 代码： | O-XUPM-D1 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 350 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 最大输出电流： | 30 A | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向电流： | 3000 µA | 最大反向恢复时间： | 0.3 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | SOLDER LUG | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ERE76-005 | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, |
|
| ERE76-01 | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 100V V(RRM), Silicon, |
|
| ERE76-02 | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 200V V(RRM), Silicon, |
|
| ERE76-04 | FUJI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 400V V(RRM), Silicon, |
|
| ERE81 | ETC |
获取价格 |
|
|
| ERE81-004 | ETC |
获取价格 |
SCHOTTKY DIODE |
|
| ERF0JM102F16OT | AISHI |
获取价格 |
Electrolytic Radial |
|
| ERF0JM102G13OT^ | AISHI |
获取价格 |
Electrolytic Radial |
|
| ERF0JM122F20OT | AISHI |
获取价格 |
Electrolytic Radial |
|
| ERF0JM122G16OT | AISHI |
获取价格 |
Electrolytic Radial |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
