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ERE51-12

更新时间: 2024-11-27 19:57:03
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 123K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 16A, 1200V V(RRM), Silicon,

ERE51-12 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-MUPM-D1
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.84
应用:POWER外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流:350 A元件数量:1
相数:1端子数量:1
最大输出电流:16 A封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1200 V
表面贴装:NO端子形式:SOLDER LUG
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

ERE51-12 数据手册

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