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ER2055IR

更新时间: 2024-02-15 14:56:40
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页数 文件大小 规格书
3页 241K
描述
512 BIT ELECTRICALLY ALTERABLE READ ONLY MEMORY

ER2055IR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:CERAMIC, DIP-22
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.83
Is Samacsys:N最长访问时间:4000 ns
JESD-30 代码:R-CDIP-T22内存密度:512 bit
内存集成电路类型:EEPROM内存宽度:8
负电源额定电压:28 V功能数量:1
端子数量:22字数:64 words
字数代码:64工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
组织:64X8封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
编程电压:5 V筛选级别:MIL-STD-883 Class B
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:MILITARY
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
最长写入周期时间 (tWC):200 msBase Number Matches:1

ER2055IR 数据手册

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