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ER1001

更新时间： 2024-09-20 14:52:11
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4页 43K
描述
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ER1001 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：compliantHTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.7Is Samacsys：N
其他特性：LOW LEAKAGE CURRENT应用：SUPER FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.95 VJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：150 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
最大反向恢复时间：0.035 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

ER1001 数据手册

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®
ER1000 – ER1006  
10A GLASS PASSIVATED SUPERFAST RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
B
Superfast 35nS and 50nS Recovery Time  
Low Forward Voltage Drop  
Low Reverse Leakage Current  
TO-220A  
C
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
13.90  
9.80  
2.54  
3.56  
12.70  
0.51  
3.55 Ø  
5.75  
4.16  
2.03  
0.30  
1.14  
4.83  
Max  
15.90  
10.70  
3.43  
High Surge Current Capability  
G
A
E
Epoxy Meets UL 94V-0 Classification  
Ideally Suited for Use in High Frequency  
SMPS, Inverters and As Free Wheeling Diodes  
PIN1  
3
4.56  
D
14.73  
0.96  
F
G
H
I
4.09 Ø  
6.85  
Mechanical Data  
F
Case: TO-220A, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 1.9 grams (approx.)  
5.00  
P
J
2.92  
K
L
0.65  
I
1.40  
P
5.33  
Mounting Position: Any  
H
L
J
All Dimensions in mm  
Mounting Torque: 0.6 N.m Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
PIN 1  
PIN 3  
Case  
K
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
ER  
1000  
ER  
ER  
ER  
ER  
1003  
ER  
1004  
ER  
1006  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
1001 1001A 1002  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
150  
105  
200  
300  
210  
400  
280  
600  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
140  
10  
420  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
150  
A
Forward Voltage  
@IF = 10A  
VFM  
IRM  
0.95  
1.3  
1.7  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TC = 25°C  
@TC = 100°C  
10  
500  
µA  
Reverse Recovery Time (Note 1)  
trr  
35  
70  
50  
50  
nS  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
CJ  
Thermal Resistance Junction to Ambient  
Thermal Resistance Junction to Case  
RθJA  
RθJC  
73  
3.0  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, IRR = 0.25A.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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