是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | QFP |
包装说明: | PLASTIC, QFP-100 | 针数: | 100 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.51 | 风险等级: | 4.25 |
Is Samacsys: | N | 最大时钟频率 (fCLK): | 66.7 MHz |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 4194304 bit |
内存集成电路类型: | CONFIGURATION MEMORY | 内存宽度: | 16 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 262144 words |
字数代码: | 256000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 256KX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | QFP | 封装等效代码: | QFP100,.7X.9 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 220 |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 3.4 mm | 最大待机电流: | 0.00015 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
EPC4QC100N | ALTERA |
类似代替 |
暂无描述 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EPC4QC100N | ALTERA |
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暂无描述 | |
EPC4QI100 | ALTERA |
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2. Enhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 & EPC16) Data Sheet | |
EPC4QI100N | ALTERA |
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This datasheet describes enhanced configuration (EPC) devices | |
EPC4XXX | ALTERA |
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2. Enhanced Configuration Devices (EPC4, EPC8 & EPC16) Data Sheet | |
EPC512IEC0 | SEIKO |
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512KX8 MASK PROM CARD, 220ns, XMA40 | |
EPC-525-0.5 | EPIGAP |
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Photodiode-Chip | |
EPC-525-0.5-2 | EPIGAP |
获取价格 |
Photodiode-Chip | |
EPC-525-0.9-1 | EPIGAP |
获取价格 |
Photodiode-Chip | |
EPC-525-1.4 | EPIGAP |
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Photodiode-Chip | |
EPC-525-2.5 | EPIGAP |
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Photodiode-Chip |