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EPA120EV

更新时间： 2024-11-05 06:57:31
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EXCELICS /
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2页 58K
描述
High Efficiency Heterojunction Power FET

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EPA120EV 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Is Samacsys：NBase Number Matches：1

EPA120EV 数据手册

 浏览型号EPA120EV的Datasheet PDF文件第2页 
Excelics EPA120E/EPA120EV  
DATA SHEET  
High Efficiency Heterojunction Power FET  
·
·
+29.5dBm TYPICAL OUTPUT POWER  
9.5dB TYPICAL POWER GAIN FOR EPA120E AND  
10.5dB FOR EPA120EV AT 18GHz  
·
·
·
0.3 X 1200 MICRON RECESSED “MUSHROOM” GATE  
Si3N4 PASSIVATION  
ADVANCED EPITAXIAL DOPING PROFILE  
PROVIDES HIGH POWER EFFICIENCY,  
LINEARITY AND RELIABILITY  
Chip Thickness: 75 ± 20 microns  
All Dimensions In Microns  
: Via Hole  
·
·
EPA120EV WITH VIA HOLE SOURCE GROUNDING  
Idss SORTED IN 30mA PER BIN RANGE  
No Via Hole For EPA120E  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25 OC)  
SYMBOLS  
PARAMETERS/TEST CONDITIONS  
UNIT  
EPA120E  
EPA120EV  
MIN  
TYP  
MAX  
MIN  
TYP  
29.5  
29.5  
12.5  
10.5  
MAX  
Output Power at 1dB Compression  
Vds=8V, Ids=50% Idss  
f=12GHz  
f=18GHz  
f=12GHz  
f=18GHz  
28.0  
29.5  
28.0  
dBm  
dB  
P1dB  
G1dB  
PAE  
29.5  
Gain at 1dB Compression  
Vds=8V, Ids=50% Idss  
10.0  
12.0  
10.5  
9.5  
Gain at 1dB Compression  
%
Vds=8V, Ids=50% Idss  
f=12GHz  
45  
360  
380  
-1.0  
-15  
-14  
35  
46  
360  
380  
-1.0  
-15  
-14  
25  
Saturated Drain Current Vds=3V, Vgs=0V  
210  
240  
510  
-2.5  
210  
240  
510  
-2.5  
mA  
mS  
V
Idss  
Gm  
Transconductance  
Pinch-off Voltage  
Vds=3V, Vgs=0V  
Vds=3V, Ids=3.5mA  
Vp  
Drain Breakdown Voltage Igd=1.2mA  
Source Breakdown Voltage Igs=1.2mA  
Thermal Resistance (Au-Sn Eutectic Attach)  
-11  
-7  
-11  
-7  
V
BVgd  
BVgs  
Rth  
V
oC/W  
MAXIMUM RATINGS AT 25OC  
SYMBOLS  
PARAMETERS  
EPA120E  
EPA120EV  
ABSOLUTE1  
CONTINUOUS2  
ABSOLUTE1  
CONTINUOUS2  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
Drain Current  
12V  
8V  
12V  
8V  
Vds  
Vgs  
Ids  
-8V  
-3V  
-8V  
-3V  
Idss  
405mA  
10mA  
Idss  
Idss  
10mA  
Forward Gate Current  
Input Power  
60mA  
27dBm  
60mA  
27dBm  
Igsf  
Pin  
@ 3dB  
@ 3dB  
Compression  
Compression  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
Total Power Dissipation  
175oC  
150oC  
175oC  
150oC  
Tch  
Tstg  
Pt  
-65/175oC  
-65/150oC  
-65/175oC  
-65/150oC  
3.9W  
3.2W  
5.4W  
4.5W  
Note: 1. Exceeding any of the above ratings may result in permanent damage.  
2. Exceeding any of the above ratings may reduce MTTF below design goals.  
Excelics Semiconductor, Inc., 2908 Scott Blvd., Santa Clara, CA 95054  
Phone: (408) 970-8664 Fax: (408) 970-8998 Web Site: www.excelics.com  
12

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