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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, | 针数： | 256 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8542.31.00.01 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 具有ADC： | YES | 地址总线宽度： | 28 |
| 位大小： | 32 | DAC 通道： | YES |
| DMA 通道： | YES | 外部数据总线宽度： | 32 |
| JESD-30 代码： | S-PBGA-B256 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 17 mm | I/O 线路数量： | 70 |
| 端子数量： | 256 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | PWM 通道： | YES | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装形状： | SQUARE | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| ROM可编程性： | FLASH | 座面最大高度： | 1.8 mm |
| 最大供电电压： | 2.7 V | 最小供电电压： | 2.3 V |
| 标称供电电压： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 17 mm |
| uPs/uCs/外围集成电路类型： | MICROCONTROLLER, RISC | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EP7309-CBZ | CIRRUS |
获取价格 |
High-performance, Low-power, System-on-chip with Enhanced Digital Audio Interface |
|
| EP7309-CR-C | CIRRUS |
获取价格 |
HIGH PERFORMANCE LOW POWER SYSTEM ON CHIP ENHANCED DIGITAL AUDIO INTERFACE |
|
| EP7309-CV | CIRRUS |
获取价格 |
High-performance, Low-power, System-on-chip with Enhanced Digital Audio Interface |
|
| EP7309-CV-C | CIRRUS |
获取价格 |
HIGH PERFORMANCE LOW POWER SYSTEM ON CHIP ENHANCED DIGITAL AUDIO INTERFACE |
|
| EP7309-CVZ | CIRRUS |
获取价格 |
High-performance, Low-power, System-on-chip with Enhanced Digital Audio Interface |
|
| EP7309-EB-C | CIRRUS |
获取价格 |
HIGH PERFORMANCE LOW POWER SYSTEM ON CHIP ENHANCED DIGITAL AUDIO INTERFACE |
|
| EP7309-ER | CIRRUS |
获取价格 |
Consumer Circuit, CMOS, PBGA204 |
|
| EP7309-ER-C | CIRRUS |
获取价格 |
HIGH PERFORMANCE LOW POWER SYSTEM ON CHIP ENHANCED DIGITAL AUDIO INTERFACE |
|
| EP7309-EV-C | CIRRUS |
获取价格 |
HIGH PERFORMANCE LOW POWER SYSTEM ON CHIP ENHANCED DIGITAL AUDIO INTERFACE |
|
| EP7309-IB | CIRRUS |
获取价格 |
High-performance, Low-power, System-on-chip with Enhanced Digital Audio Interface |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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