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| 京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 6页 | 791K |  |
| 描述 | ||
| Fast recovery diodes are PN junction diodes with the same structure and function as general rectif | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SOD-123, 2 PIN |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.58 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.95 V | JESD-30 代码： | R-PDSO-G2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 8 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 0.45 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 200 V | 最大反向恢复时间： | 0.03 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EP05H10 | NIEC |
获取价格 |
SBD JEDEC SOD -123l |
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| EP05H10 | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| EP05H10TE8L10 | NIEC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.48A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| EP05H10TE8L3 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.48A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| EP05H10TE8R10 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.48A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| EP05H10TE8R3 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.48A, 100V V(RRM), Silicon, |
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| EP05H10TRLH | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.5A, 100V V(RRM), Silicon, SOD-123, 2 PIN |
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| EP05Q03L | KYOCERA AVX |
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Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers b |
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| EP05Q03LTE8L10 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.49A, 30V V(RRM), Silicon, |
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| EP05Q03LTE8L3 | NIEC |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 0.49A, 30V V(RRM), Silicon, |
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