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EN25F80-75HIP

更新时间： 2024-11-09 03:03:59
品牌 Logo 应用领域
EON 闪存
页数 文件大小 规格书
33页 455K
描述
8 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector

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EN25F80-75HIP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOP-8Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.84
最大时钟频率 (fCLK)：75 MHz数据保留时间-最小值：20
耐久性：100000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码：S-PDSO-G8
长度：5.275 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：8
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP8,.3封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：SERIAL
电源：3/3.3 V编程电压：2.7 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：2.2 mm
串行总线类型：SPI最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
类型：NOR TYPE宽度：5.275 mm
写保护：HARDWARE/SOFTWAREBase Number Matches：1

EN25F80-75HIP 数据手册

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EN25F80  
EN25F80  
8 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector  
FEATURES  
- Write Protect all or portion of memory via  
• Single power supply operation  
software  
- Full voltage range: 2.7-3.6 volt  
- Enable/Disable protection with WP# pin  
• 8 Mbit Serial Flash  
• High performance program/erase speed  
- 8 M-bit/1024 K-byte/4096 pages  
- Page program time: 1.5ms typical  
- 256 bytes per programmable page  
- Sector erase time: 150ms typical  
- Block erase time 800ms typical  
- Chip erase time: 10 Seconds typical  
• High performance  
- 100MHz clock rate  
• Low power consumption  
- 5 mA typical active current  
- 1 μA typical power down current  
• Lockable 256 byte OTP security sector  
• Minimum 100K endurance cycle  
• Package Options  
- 8 pins SOP 200mil body width  
- 8 contact VDFN  
- 8 pins PDIP  
• Uniform Sector Architecture:  
- 256 sectors of 4-Kbyte  
- 16 blocks of 64-Kbyte  
- Any sector or block can be  
erased individually  
- All Pb-free packages are RoHS compliant  
• Commercial and industrial temperature  
Range  
• Software and Hardware Write Protection:  
GENERAL DESCRIPTION  
The EN25F80 is a 8M-bit (1024K-byte) Serial Flash memory, with advanced write protection  
mechanisms, accessed by a high speed SPI-compatible bus. The memory can be programmed 1 to  
256 bytes at a time, using the Page Program instruction.  
The EN25F80 is designed to allow either single Sector at a time or full chip erase operation. The  
EN25F80 can be configured to protect part of the memory as the software protected mode. The device  
can sustain a minimum of 100K program/erase cycles on each sector.  
This Data Sheet may be revised by subsequent versions  
or modifications due to changes in technical specifications.  
©2004 Eon Silicon Solution, Inc., www.essi.com.tw  
1
Rev. D, Issue Date: 2007/05/16  
1234567...33

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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