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EN25F80-100QC

更新时间： 2024-09-17 03:03:51

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EON		闪存存储内存集成电路光电二极管时钟
页数	文件大小	规格书
33页	455K
描述
8 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector

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EN25F80-100QC 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP-8	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	其他特性：	IT ALSO OPERATES AT REGULATED SUPPLY VOLTAGE 3 TO 3.6 V
最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz	数据保留时间-最小值：	20
耐久性：	100000 Write/Erase Cycles	JESD-30 代码：	R-PDIP-T8
长度：	9.271 mm	内存密度：	8388608 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP8,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	SERIAL
电源：	3/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	5.334 mm
串行总线类型：	SPI	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.025 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	7.62 mm	写保护：	HARDWARE/SOFTWARE
Base Number Matches：	1

EN25F80-100QC 数据手册

EN25F80

8 Mbit Serial Flash Memory with 4Kbytes Uniform Sector

FEATURES

- Write Protect all or portion of memory via

• Single power supply operation

software

- Full voltage range: 2.7-3.6 volt

- Enable/Disable protection with WP# pin

• 8 Mbit Serial Flash

• High performance program/erase speed

- 8 M-bit/1024 K-byte/4096 pages

- Page program time: 1.5ms typical

- 256 bytes per programmable page

- Sector erase time: 150ms typical

- Block erase time 800ms typical

- Chip erase time: 10 Seconds typical

• High performance

- 100MHz clock rate

• Low power consumption

- 5 mA typical active current

- 1 μA typical power down current

• Lockable 256 byte OTP security sector

• Minimum 100K endurance cycle

• Package Options

- 8 pins SOP 200mil body width

- 8 contact VDFN

- 8 pins PDIP

• Uniform Sector Architecture:

- 256 sectors of 4-Kbyte

- 16 blocks of 64-Kbyte

- Any sector or block can be

erased individually

- All Pb-free packages are RoHS compliant

• Commercial and industrial temperature

Range

• Software and Hardware Write Protection:

GENERAL DESCRIPTION

The EN25F80 is a 8M-bit (1024K-byte) Serial Flash memory, with advanced write protection

mechanisms, accessed by a high speed SPI-compatible bus. The memory can be programmed 1 to

256 bytes at a time, using the Page Program instruction.

The EN25F80 is designed to allow either single Sector at a time or full chip erase operation. The

EN25F80 can be configured to protect part of the memory as the software protected mode. The device

can sustain a minimum of 100K program/erase cycles on each sector.

This Data Sheet may be revised by subsequent versions

or modifications due to changes in technical specifications.

Rev. D, Issue Date: 2007/05/16

12 3 4 5 6 7...33

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