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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.29 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.023 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F8 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EMH2407RTL | ONSEMI |
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Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 20V, 0.023ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| EMH2407R-TL | ONSEMI |
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TRANSISTOR,MOSFET,MATCHED PAIR,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,6A I(D),TSSOP |
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| EMH2407-TL-H | ONSEMI |
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N-Channel Power MOSFET, 20V, 6A, 25mΩ, Dual EMH8, SOT-383FL / EMH8, 3000-REEL |
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| EMH2408 | SANYO |
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N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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| EMH2408_12 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
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| EMH2408-TL-H | ONSEMI |
获取价格 |
N 沟道，功率 MOSFET，20V，4A，45mΩ，双 EMH8 |
|
| EMH2409 | SANYO |
获取价格 |
N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
|
| EMH2409_12 | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
| EMH2409-TL-H | ONSEMI |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFET, 30V, 4A, 59mΩ, Dual EMH8, SOT-383FL / EMH8, 3000-REEL |
|
| EMH2411R | SANYO |
获取价格 |
General-Purpose Switching Device Applications |
|
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