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EMH15

更新时间： 2024-01-28 04:59:18

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罗姆 - ROHM		晶体数字晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	64K
描述
General purpose (dual digital transistors)

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EMH15 数据手册

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EMH15 / IMH15A

Transistors

General purpose (dual digital transistors)

EMH15 / IMH15A

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Two DTC114T chips in a EMT or SMT package.

IMH15A

zEquivalent circuit

EMH15

IMH15A

(6)

(5)

(4)

(4)

(5)

(6)

1.6

2.8

R1

R1

R1

R1

0.3Min.

(1)

(2)

(3)

(3)

(2)

(1)

ROHM : SMT6

EIAJ : SC-74

Each lead has same dimensions

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

EMH15

Parameter

Symbol

Limits

Unit

V

Collector-base voltage

V

V

V

CBO

CEO

EBO

50

50

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

V

( )

3

( )

2

( )

1

( )

4

( )

5

( )

6

5

V

I

C

100

mA

EMH15

IMH15A

150(TOTAL)

300(TOTAL)

150

1.2

1.6

1pin mark

Pc

mW

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Tj

°C

°C

Tstg

−55 to +150

Each lead has same dimensions

zPackage, marking, and packaging specifications

Type

Package

EMH15

EMT6

H15

IMH15A

SMT6

H15

Marking

Code

T2R

T110

Basic ordering unit (pieces)

8000

3000

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Parameter

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cutoff current

Symbol

BV^CBO

BVCEO

BVEBO

Min.

50

50

5

Typ.

−

−

Max.

−

−

Conditions

Unit

V

I

I

I

C

=50µA

=1mA

V

C

−

−

−

−

V

E

=50µA

CB=50V

EB=4V

I

CBO

EBO

CE(sat)

FE

−

−

0.5

0.5

0.3

600

−

µA

µA

V

V

V

Emitter cutoff current

I

Collector-emitter saturation voltage

DC current transfer ratio

V

−

100

−

−

I

C/I

B

=10mA/1mA

=5V/1mA

h

250

250

47

−

MHz

kΩ

V

V

CE/I

C

Transition frequency

f

T

CE=10V, I

E

= −5mA, f=100MHz

∗

Input resistance

R1

32.9

61.1

−

∗Transition frequency of the device.

Rev.A

1/2

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