是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PDSO-G4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.70 |
风险等级: | 5.68 | 最小击穿电压: | 200 V |
配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-G4 |
JESD-609代码: | e3 | 最大非重复峰值正向电流: | 20 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 1 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | 265 |
认证状态: | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EMD4T2R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon | |
EMD5 | ROHM |
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General purpose (dual digital transistors) | |
EMD50N15A | EXCELLIANCE |
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TO252-2 | |
EMD50N15E | EXCELLIANCE |
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TO220-3 | |
EMD50N15F | EXCELLIANCE |
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TO220F-3 | |
EMD50N15G | EXCELLIANCE |
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SOP-8 | |
EMD52 | ROHM |
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EMT6封装中内置DTA024E与DTC024E。 | |
EMD53 | ROHM |
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EMT6封装中内置DTA014E与DTC014E。 | |
EMD53T2R | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, | |
EMD56164P | EMLSI |
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256M: 16M x 16 Mobile DDR SDRAM |