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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SC-107 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.72 | 其他特性： | BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 10 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 68 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.15 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN COPPER |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| EMD3D256M08BS1 | EVERSPIN |
获取价格 |
256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM |
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| EMD3D256M08G1-150CBS1 | EVERSPIN |
获取价格 |
256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM |
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| EMD3D256M08G1-150CBS1R | EVERSPIN |
获取价格 |
256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM |
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| EMD3D256M16BS1 | EVERSPIN |
获取价格 |
256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM |
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| EMD3D256M16G2-150CBS1 | EVERSPIN |
获取价格 |
256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM |
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| EMD3D256M16G2-150CBS1R | EVERSPIN |
获取价格 |
256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM |
|
| EMD3S | RECTRON |
获取价格 |
SINGLE-PHASE GLASS PASSIVATED MINI SUPER FAST SURFACE MOUNT BRIDGE RECTIFIER |
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| EMD3S-W | RECTRON |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 0.5A, 150V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, MD-S |
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| EMD3T2R | ROHM |
获取价格 |
General purpose (dual digital transistors) |
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| EMD3-TPQ2 | MCC |
获取价格 |
Tape : 3K/Reel, 120K/Ctn; |
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