Datasheet > EMD12

EMD12

更新时间： 2024-12-01 14:54:47

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
页数	文件大小	规格书
6页	717K
描述
SOT-563

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EMD12 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.73	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	68	元件数量：	2
极性/信道类型：	NPN/PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

EMD12 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

Digital Transistors (Built-in Resistors)

EMD12

Dual Digital Transistors (NPN+PNP)

SOT-563

FEATURES

Both the DTC144E chip and DTA144E chip in a package.

Mounting possible with SOT-563 automatic mounting machines.

Transistor elements are independent, eliminating interference.

Mounting cost and area be cut in half.

Marking: D12

T_R1Absolute maximum ratings (Ta=25℃)

Parameter

Supply voltage

Input voltage

Symbol

V_CC

Limits

Unit

V_IN

-10~40

100

I_O

℃

Output current

I_C(MAX)

100

150

Power dissipation

Operation Junction and

Storage Temperature Range

T_J,T_stg

-55~+150

T_R1Electrical characteristics (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

Min.

Typ

Max.

Unit

Conditions

V_I(off)

V_I(on)

V_O(on)

I_I

0.5

V_CC=5V, I_O=100μA

Input voltage

V_O=0.3V, I_O=2mA

Output voltage

Input current

0.1

0.3

0.18

0.5

I_O/I_I=10mA/0.5mA

μA

V_I=5V

Output current

DC current gain

Input resistance

Resistance ratio

Transition frequency

I_O(off)

G_I

V_CC=50V, V_I=0

32.9

0.8

V_O=5V, I_O=5mA

R₁

61.1

1.2

KΩ

R₂/R₁

f_T

250

MHz

V_CE=10V, I_E=5mA, f=100MHz

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与EMD12相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EMD12164P	EMLSI	获取价格	512M: 32M x 16 Mobile DDR SDRAM
EMD12164P-60	EMLSI	获取价格	512M: 32M x 16 Mobile DDR SDRAM
EMD12164P-75	EMLSI	获取价格	512M: 32M x 16 Mobile DDR SDRAM
EMD12324P	EMLSI	获取价格	512M: 16M x 32 Mobile DDR SDRAM
EMD12324P-60	EMLSI	获取价格	512M: 16M x 32 Mobile DDR SDRAM
EMD12324P-75	EMLSI	获取价格	512M: 16M x 32 Mobile DDR SDRAM
EMD12324PV	EMLSI	获取价格	512M: 16M x 32 Mobile DDR SDRAM
EMD12324PV-60	EMLSI	获取价格	512M: 16M x 32 Mobile DDR SDRAM
EMD12324PV-75	EMLSI	获取价格	512M: 16M x 32 Mobile DDR SDRAM
EMD12FHAT2R	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,