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EM6A9325BG-1H/LG

更新时间： 2024-02-27 00:14:45

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钰创 - ETRON		动态存储器
页数	文件大小	规格书
51页	598K
描述
4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM)

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数据手册

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EM6A9325BG-1H/LG 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

EM6A9325BG-1H/LG 数据手册

Et r on Tech

EM6A9325

4M x 32 Low Power SDRAM (LPSDRAM)

Preliminary (Rev 0.4 June/2003)

Features

4096 refresh cycles/64ms

Single 2.5V power supply

Interface: LVCMOS

Package : 90 ball-FBGA, 11x13mm, Lead Free

•

Clock rate: 133/125/100 MHz

Fully synchronous operation

Internal pipelined architecture

Four internal banks (1M x 32bit x 4bank)

Programmable Mode

•

Ordering Information

- CAS# Latency: 1, 2 & 3

Part Number

Frequency

Package

- Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page

- Burst Type: Sequential & Interleave

- Burst-Read-Single-Write

Burst stop function

Individual byte controlled by DQM0-3

Auto Refresh and Self Refresh

EM6A9325BG-7.5G^(*)

EM6A9325BG-8G^(*)

EM6A9325BG-1H/LG^(*)

133MHz

125MHz

100MHz

11x13 BGA

•

(*) : G indicates Lead free package

Pin Assignment : Top View

DQ26

DQ28

VSSQ

VDDQ

VSS

DQ24

VDDQ

DQ27

DQ29

DQ31

DQM3

VSS

VSSQ

DQ25

DQ30

VDD

VDDQ

DQ22

DQ17

DQ23

VSSQ

DQ20

DQ18

DQ16

DQM2

DQ21

DQ19

VDDQ

VDD1Q

VSSQ

VDD

A10

BA1

A11

CLK

DQM1

VDDQ

VSSQ

DQ11

DQ13

CKE

BA0

CS#

RAS#

DQM0

VSSQ

VDDQ

DQ4

CAS#

VDD

DQ6

DQ1

VDDQ

VDD

WE#

DQ7

DQ8

VSS

DQ9

DQ14

VSSQ

VSS

DQ10

DQ12

VDDQ

DQ15

DQ5

DQ3

VSSQ

DQ0

DQ2

Etron Technology, Inc.

No. 6, Technology Rd. V, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 30077, R.O.C

TEL: (886)-3-5782345 FAX: (886)-3-5778671

Etron Technology, Inc., reserves the right to make changes to its products and specifications without notice.

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