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EM6A9160TSA-4G

更新时间： 2024-02-27 19:42:43
品牌 Logo 应用领域
钰创 - ETRON 内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
51页 438K
描述
8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)

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EM6A9160TSA-4G 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：TSOP2,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.68
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.6 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G66长度：22.22 mm
内存密度：134217728 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：66
字数：8388608 words字数代码：8000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：8MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：2.625 V最小供电电压 (Vsup)：2.375 V
标称供电电压 (Vsup)：2.5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

EM6A9160TSA-4G 数据手册

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EM6A9160TSA  
EtronTech  
8M x 16 DDR Synchronous DRAM (SDRAM)  
Etron Confidential  
Advanced (Rev. 1.1 Aug. /2009)  
Table 1.Ordering Information  
Features  
Clock  
Frequency  
Fast clock rate: 250MHz  
•
•
Part Number  
Data Rate Package  
Differential Clock CK &  
Bi-directional DQS  
input  
CK  
250MHz 500Mbps/pin TSOPII  
EM6A9160TSA-4G  
•
•
•
•
•
•
DLL enable/disable by EMRS  
Fully synchronous operation  
Internal pipeline architecture  
Four internal banks, 2M x 16-bit for each bank  
Programmable Mode and Extended Mode registers  
- CAS Latency: 3  
TS: indicates TSOP II package  
A: indicates Generation Code  
G: indicates Pb and Halogen Free for TSOPII Package  
Figure 1. Pin Assignment (Top View)  
- Burst length: 2, 4, 8  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
NC  
1
66  
65  
64  
63  
62  
61  
60  
59  
58  
57  
56  
55  
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
NC  
- Burst Type: Sequential & Interleaved  
Individual byte write mask control  
DM Write Latency = 0  
Auto Refresh and Self Refresh  
4096 refresh cycles / 64ms  
Precharge & active power down  
Power supplies: VDD & VDDQ = 2.5V ± 5%  
Interface: SSTL_2 I/O Interface  
Package: 66 Pin TSOP II, 0.65mm pin pitch  
- Pb and Halogen Free  
2
•
•
•
•
•
•
•
•
3
4
5
6
7
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
VDDQ  
LDQS  
NC  
VDD  
NC  
VSSQ  
UDQS  
NC  
VREF  
VSS  
UDM  
CK  
Overview  
The EM6A9160 SDRAM is a high-speed CMOS  
double data rate synchronous DRAM containing 128  
Mbits. It is internally configured as a quad 2M x 16  
DRAM with a synchronous interface (all signals are  
registered on the positive edge of the clock signal, CK).  
Data outputs occur at both rising edges of CK  
LDM  
WE  
CAS  
RAS  
CS  
CK  
CKE  
NC  
NC  
NC  
and  
.Read and write accesses to the SDRAM are  
CK  
BA0  
BA1  
A10/AP  
A0  
A11  
burst oriented; accesses start at a selected location  
and continue for a programmed number of locations in  
a programmed sequence. Accesses begin with the  
registration of a BankActivate command which is then  
followed by a Read or Write command. The EM6A9160  
provides programmable Read or Write burst lengths of  
2, 4, or 8. An auto precharge function may be enabled  
to provide a self-timed row precharge that is initiated at  
the end of the burst sequence. The refresh functions,  
either Auto or Self Refresh are easy to use. In addition,  
EM6A9160 features programmable DLL option. By  
having a programmable mode register and extended  
mode register, the system can choose the most  
suitable modes to maximize its performance. These  
devices are well suited for applications requiring high  
memory bandwidth and high performance.  
A9  
A8  
A7  
A6  
A1  
A2  
A5  
A3  
A4  
VDD  
VSS  
Etron Technology, Inc.  
No. 6, Technology Rd. V, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan 30078, R.O.C.  
TEL: (886)-3-5782345  
FAX: (886)-3-5778671  
Etron Technology, Inc. reserves the right to change products or specification without notice.  
1234567...51

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