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EM63A165TS-6G

更新时间： 2024-02-15 13:36:30
品牌 Logo 应用领域
钰创 - ETRON 内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
73页 1390K
描述
16Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)

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EM63A165TS-6G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：TSOP2,Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.24
风险等级：5.66访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G54长度：22.22 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：54
字数：16777216 words字数代码：16000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：16MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

EM63A165TS-6G 数据手册

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EtronTech  
EM63A165  
16Mega x 16 Synchronous DRAM (SDRAM)  
(Rev 1.1, Apr., 2007)  
Features  
Pin Assignment (Top View)  
Fast access time from clock: 5/5.4 ns  
Fast clock rate: 166/143 MHz  
Fully synchronous operation  
Internal pipelined architecture  
4M word x 16-bit x 4-bank  
Programmable Mode registers  
- CAS# Latency: 2, or 3  
- Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page  
- Burst Type: interleaved or linear burst  
- Burst stop function  
Auto Refresh and Self Refresh  
8192 refresh cycles/64ms  
CKE power down mode  
Single +3.3V power supply  
Interface: LVTTL  
•
•
•
•
•
•
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
VDD  
DQML  
/WE  
1
2
3
4
5
6
7
8
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
VSS  
NC  
DQMU  
CLK  
CKE  
A12  
A11  
A9  
A8  
A7  
A6  
A5  
9
10  
11  
12  
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14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
•
•
•
•
•
•
/CAS  
/RAS  
/CS  
BA0  
BA1  
A10(AP)  
A0  
54-pin 400 mil plastic TSOP II Lead-free package  
A1  
A2  
A3  
VDD  
A4  
VSS  
Overview  
The EM63A165 SDRAM is a high-speed CMOS  
synchronous DRAM containing 256 Mbits. It is internally  
configured as 4 Banks of 2M word x 16 DRAM with a  
synchronous interface (all signals are registered on the  
positive edge of the clock signal, CLK). Read and write  
accesses to the SDRAM are burst oriented; accesses  
start at  
a selected location and continue for a  
programmed number of locations in a programmed  
sequence. Accesses begin with the registration of a  
BankActivate command which is then followed by a Read  
or Write command.  
Key Specifications  
The EM63A165 provides for programmable Read  
or Write burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page, with a  
burst termination option. An auto precharge function may  
be enabled to provide a self-timed row precharge that is  
initiated at the end of the burst sequence. The refresh  
functions, either Auto or Self Refresh are easy to use.  
EM63A165  
-
6/7  
6/7 ns  
tCK3 Clock Cycle time(min.)  
tAC3 Access time from CLK(max.)  
tRAS Row Active time(min.)  
tRC Row Cycle time(min.)  
5/5.4 ns  
42/45 ns  
60/63 ns  
By having a programmable mode register, the  
system can choose the most suitable modes to maximize  
its performance. These devices are well suited for  
applications requiring high memory bandwidth and  
particularly well suited to high performance PC  
applications.  
Ordering Information  
Part Number  
EM63A165TS-6G  
EM63A165TS-7G  
Frequency Package  
166MHz  
143MHz  
TSOP II  
TSOP II  
Etron Technology, Inc.  
No. 6, Technology Rd. V, Science-Based Industrial Park, Hsinchu, Taiwan 30077, R.O.C.  
TEL: (886)-3-5782345  
FAX: (886)-3-5778671  
Etron Technology, Inc., reserves the right to make changes to its products and specifications without notice.  
1234567...73

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与EM63A165TS-6G相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
EM63A165TS-6IG ETRON 16M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

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