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EM638165TS-5G

更新时间： 2024-01-03 04:25:18
品牌 Logo 应用领域
钰创 - ETRON 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
53页 519K
描述
4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)

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EM638165TS-5G 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.75访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：4.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：200 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PDSO-G54
长度：22.22 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：4194304 words
字数代码：4000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：4MX16输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP54,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

EM638165TS-5G 数据手册

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EM638165  
EtronTech  
4M x 16 bit Synchronous DRAM (SDRAM)  
Preliminary (Rev. 5.3, Dec. /2013)  
Features  
Overview  
Fast access time from clock: 4.5/5.4/5.4 ns  
Fast clock rate: 200/166/143 MHz  
Fully synchronous operation  
Internal pipelined architecture  
1M word x 16-bit x 4-bank  
Programmable Mode registers  
- CAS Latency: 2 or 3  
- Burst Length: 1, 2, 4, 8, or full page  
- Burst Type: Sequential or Interleaved  
- Burst stop function  
The EM638165 SDRAM is a high-speed CMOS  
synchronous DRAM containing 64 Mbits. It is  
internally configured as 4 Banks of 1M word x 16  
DRAM with a synchronous interface (all signals are  
registered on the positive edge of the clock signal,  
CLK). Read and write accesses to the SDRAM are  
burst oriented; accesses start at a selected location  
and continue for a programmed number of locations  
in a programmed sequence. Accesses begin with the  
registration of a Bank Activate command which is  
then followed by a Read or Write command.  
•
•
•
•
•
•
The EM638165 provides for programmable Read  
or Write burst lengths of 1, 2, 4, 8, or full page, with a  
burst termination option. An auto precharge function  
may be enabled to provide a self-timed row precharge  
that is initiated at the end of the burst sequence. The  
refresh functions, either Auto or Self Refresh are easy  
to use. By having a programmable mode register, the  
system can choose the most suitable modes to  
maximize its performance. These devices are well  
suited for applications requiring high memory  
bandwidth and particularly well suited to high  
performance PC applications.  
- Optional drive strength control  
Auto Refresh and Self Refresh  
4096 refresh cycles/64ms  
•
•
•
•
•
•
CKE power down mode  
Single +3.3V ± 0.3V power supply  
Operating Temperature: TA = 0~70°C  
Interface: LVTTL  
• 54-pin 400 mil plastic TSOP II package  
- Pb and Halogen Free  
54-ball 8.0 x 8.0 x 1.2mm (max) FBGA package  
- Pb free and Halogen free  
•
Table1. Key Specifications  
EM638165  
- 5/6/7  
5/6/7  
tCK3  
tAC3  
tRAS  
Clock Cycle time(min.)  
Access time from CLK(max.)  
Row Active time(min.)  
Row Cycle time(min.)  
ns  
4.5/5.4/5.4 ns  
40/42/42 ns  
55/60/63 ns  
tRC  
Table 2. Ordering Information  
Part Number  
Frequency  
200MHz  
166MHz  
143MHz  
200MHz  
166MHz  
143MHz  
Package  
TSOP II  
TSOP II  
TSOP II  
FBGA  
EM638165TS -5G  
EM638165TS -6G  
EM638165TS -7G  
EM638165BM -5H  
EM638165BM -6H  
EM638165BM -7H  
FBGA  
FBGA  
TS: indicates TSOPII Package  
BM: indicates FBGA package  
G: indicates Pb and Halogen Free for TSOPII Package  
H: indicates Pb free and Halogen free  
Etron Technology, Inc.  
No. 6, Technology Rd. V, Hsinchu Science Park, Hsinchu, Taiwan 30078, R.O.C.  
TEL: (886)-3-5782345  
FAX: (886)-3-5778671  
Etron Technology, Inc. reserves the right to change products or specification without notice.  
1234567...53

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EM638165TS-5IG ETRON

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