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EM1BV1

更新时间： 2024-01-11 17:46:31

品牌	Logo	应用领域
三垦 - SANKEN		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	158K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, Silicon

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EM1BV1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	元件数量：	1
端子数量：	2	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

EM1BV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

EM1B

１ Scope

The present specifications shall apply to an EM1B.

２ Outline

Type

Silicon Diode

Resin Molded

Structure

Applications

High Frequency Rectification

３ Flammability

UL94V-0(Equivalent)

４ Absolute maximum ratings

No.

Item

Symbol Unit

Rating

850

Conditions

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

I²t

800

Refer to derating curve

in Section 7

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

I²t Limiting Value

1.0

10ms.

Half sine wave, one shot

A²s

°C

6.125

1ms≦t≦10ms

Junction Temperature

T_j

-40 to +150

Storage Temperature

T_stg

５ Electrical characteristics (Ta=25°C, unless otherwise specified)

No.

Item

Symbol Unit

Rating

1.05 max.

20 max.

Conditions

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

V_F

I_R

I_F=1.0A

µA

V_R=V_RM

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

µA

200 max.

17 max.

V_R=V_RM, T_j=150°C

Between Junction and Lead

H･I_R

Thermal Resistance

R_th(j-l)

°C/W

050617

1／4

61426-01

12 3 4

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