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ELS-880-638

更新时间： 2024-11-01 19:54:35

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描述
Infrared LED

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ELS-880-638 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.67	Base Number Matches：	1

ELS-880-638 数据手册

SMD - LED

ELS-880-638

Radiation

Infrared

Type

Technology

Case

SMD - LED on

silicon carrier

AlGaAs/AlGaAs

waterclear, plastic lens

Description

Applications

High-power, double-hetero AlGaAs struc-

ture with removed substrate on heatsink

for „up side down“ mounting

Photoelectric barriers, remote controls, illu-

mination for CCD-cameras and night-vision

systems, alarm guard systems, fibre optics

3,9

2,75

all dimensions in mm, tolerance: ± 0,05 mm

Maximum Ratings

T_amb= 25°C, unless otherwise specified

Parameter

DC forward current

Test Conditions

Symbol

I_F

Value

250

Unit

on heatsink

t_p£ 10 µs, f £ 500 Hz

I_R= 10 µA

Peak forward current

Reverse voltage

I_FRM

V_R

2000

Operating temperature range

Junction temperature

T_amb

T_jmax

-25 to +85

100

°C

Optical and Electrical Characteristics

T_amb= 25°C, unless otherwise specified

Test Condi-

Parameter

tions

Sym-

bol

Min

Typ

Max

Unit

Forward voltage

Radiant power

Peak wavelength

I_F= 100 mA

I_F= 250 mA

I_F= 100 mA

V_F

1.6

1.8

2.0

880

deg

F _e

l _p

860

890

Spectral bandwidth at 50% I_F= 100 mA

Dl _0.5

Viewing angle

Switching time

I_F= 100 mA

t_r, t_f

Temperature coefficient of I_F= 100 mA TKV_F

forward voltage

-2

mV/K

Thermal resistance junc-

tion/heatsink

I_F= 100 mA

R_th

K/W

rev.04/01

ROITHNER LASERTECHNIK A-1040 Wien, Tel.: +43-1-586 52 43, Fax.: +43-1-586 41 43, office@roithner-laser.com

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