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EBE11FD8AHFL-5C-E

更新时间： 2024-02-14 14:43:43

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
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描述
1GB Fully Buffered DIMM

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EBE11FD8AHFL-5C-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIMM, DIMM240,40	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	Is Samacsys：	N
最大时钟频率 (fCLK)：	267 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDMA-N240	内存密度：	9663676416 bit
内存宽度：	72	端子数量：	240
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	128MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM240,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	1.5,1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	3.4 mA
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

EBE11FD8AHFL-5C-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

1GB Fully Buffered DIMM

EBE11FD8AHFT

EBE11FD8AHFE

EBE11FD8AHFL

Features

Specifications

• Density: 1GB

• JEDEC standard Raw Card B Design

• Organization

• Industry Standard Advanced Memory Buffer (AMB)

128M words × 72 bits, 2 ranks

• High-speed differential point-to-point link interface at

1.5V (JEDEC draft spec)

• Mounting 18 pieces of 512M bits DDR2 SDRAM

sealed in FBGA

14 north-bound (NB) high speed serial lanes

10 south-bound (SB) high speed serial lanes

• Various features/modes:

• Package

240-pin fully buffered, socket type dual in line

memory module (FB-DIMM)

MemBIST and IBIST test functions

PCB height: 30.35mm

Transparent mode and direct access mode for

DRAM testing

Lead pitch: 1.00mm

Advanced Memory Buffer (AMB): 655-ball FCBGA

Lead-free (RoHS compliant)

Interface for a thermal sensor and status indicator

• Channel error detection and reporting

• Power supply

• Automatic DDR2 SDRAM bus and channel

calibration

DDR2 SDRAM: VDD = 1.8V ± 0.1V

AMB: VCC = 1.5V + 0.075V/−0.045

• Data rate: 667Mbps/533Mbps (max.)

• SPD (serial presence detect) with 1piece of 256 byte

serial EEPROM

• Four internal banks for concurrent operation

(components)

Note: Warranty void if removed DIMM heat

spreader.

• Interface: SSTL_18

• Burst lengths (BL): 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Performance

FB-DIMM

DDR2 SDRAM

System clock

frequency

Peak channel

throughput

Speed grade

PC2-5300F

PC2-4200F

FB-DIMM link data rate

4.0Gbps

Speed Grade

DDR data rate

667Mbps

167MHz

133MHz

8.0GByte/s

6.4GByte/s

DDR2-667 (5-5-5)

DDR2-533 (4-4-4)

3.2Gbps

533Mbps

Document No. E1000E30 (Ver. 3.0)

Date Published February 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2006-2007

12 3 4 5 6 7...22

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