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EL02ZV1

更新时间： 2024-09-21 20:10:35

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三垦 - SANKEN		超快恢复二极管快速恢复二极管
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3页	235K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, Silicon,

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EL02ZV1 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	O-PALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.67
应用：	ULTRA FAST RECOVERY	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：	25 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-40 °C
最大输出电流：	1.5 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	最大反向恢复时间：	0.04 µs
表面贴装：	NO	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	Base Number Matches：	1

EL02ZV1 数据手册

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

EL02Z

1. Scope

The present specifications shall apply to an EL02Z .

2. Outline

Type

Silicon Diode (Planar type)

Structure

Resin Molded

Flammability : UL94V-0 (Equivalent)

Applications

High Frequency Rectification

3. Absolute maximum ratings

Item

Symbol

V_RSM

V_RM

I_F(AV)

I_FSM

I²t

Unit

Rating

200

Conditions

No.

Transient Peak Reverse Voltage

Peak Reverse Voltage

Average Forward Current

Peak Surge Forward Current

I²t Limiting Value

200

1.5

Refer to Derating of 5

10msec.

Sinewave 10ms. one shot

A²s

°C

3.1

1msec≤t≤10msec

Junction Temperature

Storage Temperature

T_j

-40~+150

T_stg

4. Electrical characteristics

Item

Symbol

V_F

Unit

Value

Conditions

No.

Forward Voltage Drop

Reverse Leakage Current

0.98 max.

50 max.

I_F=1.5A

I_R

V_R=V_RM

Reverse Leakage Current Under

High Temperature

100 max.

V_R=V_RM, T_j=100°C

H･I_R

I_F=I_RP=100mA

trr-1

trr-2

40 max.

30 max.

90% Recovery point, T_j=25°C

I_F=100mA, I_RP=200mA

75% Recovery point, T_j=25°C

Reverse Recovery Time

Thermal Resistance

Between Junction and Lead

θj-l

°C /W

20 max.

040303

1／3

61426-01

12 3

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