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EL-1ML2

更新时间： 2024-09-22 22:10:07

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可天士 - KODENSHI		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	195K
描述
Infrared Emitting Diodes(GaAs)

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EL-1ML2 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.12	最大正向电流：	0.1 A
最大正向电压：	1.5 V	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-20 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	峰值波长：	940 nm
最长响应时间：	8e-7 s	最大反向电压：	5 V
半导体材料：	GaAs	光谱带宽：	5e-8 m
子类别：	Infrared LEDs	表面贴装：	NO
视角：	64 deg	Base Number Matches：	1

EL-1ML2 数据手册

Infrared Emitting Diodes(GaAs)

K O D E N S H I

E L - 1 M L 2

DIMENSIONS

(Unit : mm)

The EL- 1ML2, a high- power GaAs IRED mounted in

a TO- 18 type header with clear epoxy encapsulation,

ha s wid e b e a m a n g le a n d is re la tive ly lo w- c o s t

compared to TO- 18 can- type devices.

FEATURES

• Wide beam angle

• Relative low cost against metal can package

• Low profile package

APPLICATIONS

• Optical switches

• E n c o d e r s

• Optical readers

MAXIMUM RATINGS

( T a = ℃2)5

I t e m

S y m b o Rl a t i n g U n i t

Reverse voltage

Forward current

Pulse forward current ^*

Power dissipation

Operating temp.

Storage temp.

m A

1 0 0

1 7 0

m W

℃

T o p r .

T s t g .

T s o l .

2 5 ~ + 1 0 0

2 6 0

℃

Soldering temp.

℃

*1. pulse width tw 100 μsec.period T = 1 0 m s e c .

*2. For MAX.5 seconds at the position of 2 mm from the package

ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS

( T a = ℃2 )5

I t e m

Forward voltage

Reverse current

C a p a c i t a n c e

Radiant intensity

Peak emission wavelength

Spectral bandwidth 50%

Half angle

S y m b o l

C t

C o n d i t i o n s

M i n . T y p .

1 . 2

M a x .

U n i t .

I = 5 0 m A

1 . 5

1 0

μA

p F

m W / s r

n m

V = 5 V

f = 1 M H z

I = 5 0 m A

2 5

2 . 7

9 4 0

5 0

λ p

Δ λ

n m

d e g .

± 3 2

- 1-

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