EL-1KL3

更新时间： 2024-02-06 12:38:32

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可天士 - KODENSHI		半导体红外LED 光电二极管
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2页	244K
描述
Infrared Emitting Diodes(GaAs)

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EL-1KL3 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.1 A	最大正向电压：	1.7 V
安装特点：	RADIAL MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-30 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	峰值波长：	940 nm
最大反向电压：	5 V	半导体材料：	GaAs
形状：	ROUND	光谱带宽：	5e-8 m
表面贴装：	NO	视角：	15 deg
Base Number Matches：	1

EL-1KL3 数据手册

Infrared Emitting Diodes(GaAs)

K O D E N S H I

E L - 1 K·LE3L - 1 K L 5

DIMENSIONS

(Unit : mm)

The EL- 1KL3 a nd 1KL5 a re high- powe r Ga As

IREDs mounted in durable, hermetically s ealed

TO- 18 metal can package, which provides years

of re lia ble pe rforma nc e e ve n unde r de ma nding

conditions such as use outdoors.

FEATURES

• Narrow beam angle

• D u r a b l e

• High reliability in demanding environments

APPLICATIONS

• Optical emitters

• Optical switches

• E n c o d e r s

• Smoke sensors

EL-1KL3

EL-1KL5

MAXIMUM RATINGS

( T a = ℃2)5

I t e m

S y m b o Rl a t i n g U n i t

Reverse voltage

Forward current

Pulse forward current ^*

Power dissipation

Operating temp.

Storage temp.

m A

1 0 0

1 7 0

m W

℃

T o p r .

T s t g .

T s o l .

4 0 ~ + 1 0 0

5 5 ~ + 1 2 5

2 6 0

℃

Soldering temp.

℃

*1. pulse width tw 100 μsec.period T = 1 0 m s e c .

*2. For MAX.5 seconds at the position of 2 mm from the package

ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS

( T a = ℃2 )5

E L - 1 K L 3

M i n . T y p . M a x . M i n .

E L - 1 K L 5

U n i t .

S y m b o l

I t e m

C o n d i t i o n s

T y p . M a x .

1 . 3 5

1 . 7

1 0

μA

p F

m W / s r

n m

Forward voltage

Reverse current

I = 1 0 0 m A

V = 5 V

1 . 3 5

1 . 7

1 0

2 5

1 0

9 4 0

5 0

C a p a c i t a n c e

Radiant intensity

Peak emission wavelength

Spectral bandwidth 50%

Half angle

f = 1 M H z

2 5

1 5

9 4 0

5 0

C t

I = 1 0 0 m A

λ p

Δ λ

n m

d e g .

I = 1 0 0 m A

± 5

± 8

- 1-

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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