1G4B42

更新时间： 2024-01-11 07:22:52

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EIC		整流二极管桥式整流二极管光电二极管
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描述
SILICON BRIDGE RECTIFIER

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1G4B42 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOD	包装说明：	12-7A2A, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.72	Is Samacsys：	N
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1 V
JESD-30 代码：	R-PDIP-T4	最大非重复峰值正向电流：	33 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向电流：	0.00001 µA	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

1G4B42 数据手册

SILICON BRIDGE RECTIFIER

1(B,G,J)4B42

DFM

PRV : 100 ~ 600 Volts

Io : 1.0 Ampere

0.255(6.5)

0.245(6.2)

0.315(8.00)

0.285(7.24)

FEATURES :

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.335(8.51)

0.320(8.12)

0.255(6.5)

0.245(6.2)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

* Ideal for printed circuit board

* Pb / RoHS Free

0.122(3.10)

0.100(2.60)

0.185(4.69)

0.150(3.81)

0.0130(0.33)

0.0086(0.22)

0.045(1.14)

0.035(0.89)

0.350(8.9)

0.300(7.6)

0.205(5.2)

0.195(5.0)

MECHANICAL DATA :

* Case : Molded plastic

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Terminals : Plated Lead solderable per MIL-STD-

202, Method 208

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Polarity symbols marked on body

* Mounting position : Any

* Weight : 0.42 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

60 Hz, resistive or inductive load.

RATING

1B4B42

1G4B42

1J4B42

UNIT

SYMBOL

VRRM

IF(AV)

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum Average Forward Output Current

Maximum Peak One Cycle Surge Forward

Current ( Non-Repetitive )

100

400

600

1.0

30 ( 50Hz )

33 ( 60Hz )

IFSM

Maximum Instantaneous Forward Voltage

per element at IF = 1.0 A

1.0

Maximum Repetitive Peak Reverse Current

at VRRM = Rated

Maximum Thermal Resistance (Junction to Ambient)

Junction Temperature

°C/W

°C

RqJA

- 40 to + 150

TSTG

Storage Temperature Range

°C

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Rev. 02 : March 25, 2005

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