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EHB0020A1MA-7E-E

更新时间： 2024-01-17 09:35:02

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
111页	896K
描述
Memory Circuit, Flash+SDRAM, 2MX16, CMOS, PBGA151, ROHS COMPLIANT, FBGA-151

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EHB0020A1MA-7E-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA151,15X16,25
针数：	151	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.84
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B151
长度：	12 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT	内存宽度：	16
混合内存类型：	FLASH+SDRAM	功能数量：	1
端子数量：	151	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	2MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA151,15X16,25
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8,3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.8 mm
最大待机电流：	0.01 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	0.08 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL EXTENDED	端子形式：	BALL
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	10.4 mm
Base Number Matches：	1

EHB0020A1MA-7E-E 数据手册

PRELIMINARY DATA SHEET

32Mb Flash Memory +

512Mb DDR SDRAM MCP

EHB0020A1MA

Description

DDR SDRAM Specifications

The EHB0020A1MA is a MCP (Multi Chip Package);

organized the Spansion^TM32M bits flash memory

(S99PL032J0029) and the Elpida 512M bits DDR

SDRAM in one package.

• Density: 512M bits

• Organization

⎯ × 32 bits: 4M words × 32 bits × 4 banks

• Power supply:

D-VDD, D-VDDQ = 1.8V +0.15V/–0.1V

• Data rate: 266Mbps (max.)

• 2KB page size

⎯ Row address: A0 to A12

⎯ Column address: A0 to A8

• Four internal banks for concurrent operation

• Interface: LVCMOS

Each flash memory and DDR SDRAM device operates

separately.

• Package: 151-ball FBGA

⎯ Lead-free (RoHS compliant)

• Operating ambient temperature range

⎯ TA =−20°C to +85°C

Flash Memory Specifications

• Burst lengths (BL): 2, 4, 8

• Burst type (BT):

⎯ Sequential (2, 4, 8)

⎯ Interleave (2, 4, 8)

• /CAS Latency (CL): 3

• Density: 32M bits

• Organization

⎯ × 16 bits: 2M words × 16 bits

• Power supply: F-VDD = 2.7V to 3.6V

• Access time

⎯ Address access: 70ns (max.)

⎯ Page access: 30ns (max.)

• Power supply current (for F-VDD at 10MHz)

⎯ Read: 45mA (typ.)

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Driver strength: full/half/quarter

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

⎯ Average refresh period: 7.8μs

⎯ Write: 15mA (typ.)

⎯ Standby mode: 0.2μA (typ.)

⎯ Program/erase: 17mA (typ.)

• Cycling endurance: 100k cycle/sector

• Data retention: 10 years

• FlexBank Architecture: four separate banks, with up

to two simultaneous operations per device

⎯ Bank A: 4 Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 7)

⎯ Bank B: 12 Mbit (32 Kw x 24)

⎯ Bank C: 12 Mbit (32 Kw x 24)

⎯ Bank D: 4 Mbit (4 Kw x 8 and 32 Kw x 7)

• Secured Silicon Sector region

⎯ Up to 128 words accessible through a command

sequence

⎯ Up to 64 factory-locked words

⎯ Up to 64 customer-lockable words

• Both top and bottom boot blocks in one device

Document No. E1017E20 (Ver. 2.0)

Date Published February 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

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