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EH8012ZI

更新时间: 2024-11-27 22:30:47
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美高森美 - MICROSEMI 整流二极管桥式整流二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
3 PHASE BRIDGE MODULES

EH8012ZI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:MODULE包装说明:R-XUFM-X4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.51
Is Samacsys:N其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-XUFM-X4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:1050 A
元件数量:6相数:3
端子数量:4最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:80 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1200 V最大反向电流:0.004 µA
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

EH8012ZI 数据手册

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