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EH8010ZIS

更新时间: 2024-11-28 13:07:35
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美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
2页 81K
描述
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, 80A, 1000V V(RRM), Silicon, MODULE-4

EH8010ZIS 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
零件包装代码:MODULE包装说明:R-XUFM-X4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.54
其他特性:TRANSIENT SUPPRESSOR ACROSS OUTPUT外壳连接:ISOLATED
配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):1.2 V
JESD-30 代码:R-XUFM-X4JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:1050 A元件数量:6
相数:3端子数量:4
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:80 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:0.004 µA表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

EH8010ZIS 数据手册

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