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EH8008ZI

更新时间: 2024-11-27 22:06:51
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美高森美 - MICROSEMI /
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2页 81K
描述
3 PHASE BRIDGE MODULES

EH8008ZI 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MODULE包装说明:MODULE-4
针数:4Reach Compliance Code:unknown
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.86
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 6 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.2 VJESD-30 代码:R-XUFM-X4
JESD-609代码:e0最大非重复峰值正向电流:1050 A
元件数量:6相数:3
端子数量:4最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:80 A
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:800 V
子类别:Bridge Rectifier Diodes表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPER处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

EH8008ZI 数据手册

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