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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> EGP10K.TR
EGP10K.TR PDF预览

EGP10K.TR

更新时间： 2024-09-25 13:07:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管高效整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 39K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41

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EGP10K.TR 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.1Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：1 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
最大功率耗散：2.5 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：800 V最大反向恢复时间：0.075 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

EGP10K.TR 数据手册

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Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
EGP10A - EGP10K  
Features  
1.0 min (25.4)  
• Superfast recovery time for high  
efficiency.  
Dimensions in  
inches (mm)  
0.205 (5.21)  
0.160 (4.06)  
• Low forward voltage, high current  
capability.  
• Low leakage current.  
DO-41  
0.107 (2.72)  
0.080 (2.03)  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
• High surge current capability.  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.71)  
1.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
1.0  
A
.375 " lead length @ T = 55 C  
°
L
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
30  
A
PD  
2.5  
17  
50  
W
mW/ C  
°
C/W  
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Rθ  
°
JA  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-65 to +150  
C
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
10A  
10B  
100  
70  
10C  
150  
105  
150  
10D  
10F  
300  
210  
300  
10G  
400  
280  
400  
10J  
600  
420  
600  
10K  
800  
560  
800  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
200  
140  
200  
V
V
V
100  
DC Reverse Voltage (Rated VR)  
Maximum Reverse Current  
5.0  
100  
A
A
µ
µ
@ rated VR  
TA = 25°C  
T = 125 C  
°
A
Maximum Reverse Recovery Time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
Maximum Forward Voltage @ 1.0 A  
50  
75  
nS  
0.95  
22  
1.25  
1.7  
V
Typical Junction Capacitance  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
15  
pF  
EPG10A - EPG10K, Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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与EGP10K.TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EGP10K_15 LRC

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 		Glass Passivated Junction
EGP10K-A MCC

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 		Rectifier Diode,
EGP10K-AP MCC

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA
EGP10K-B MCC

获取价格

 		Rectifier Diode,
EGP10K-BP MCC

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKA
EGP10KH ZOWIE

获取价格

 		SINTERED GLASS PASSIVATED JUNCTION HIGH EFFICIENT RECTIFIER
EGP10KT26A FAIRCHILD

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EGP10KT50A FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN
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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-41, D4, 2 PIN

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