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EGP10A PDF预览

EGP10A

更新时间： 2024-01-20 04:27:33
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 整流二极管高效整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 39K
描述
1.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers

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EGP10A 技术参数

生命周期：Contact ManufacturerReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.76
Base Number Matches：1

EGP10A 数据手册

 浏览型号EGP10A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号EGP10A的Datasheet PDF文件第3页 
Discr ete P OWER & Sign a l  
Tech n ologies  
EGP10A - EGP10K  
Features  
1.0 min (25.4)  
• Superfast recovery time for high  
efficiency.  
Dimensions in  
inches (mm)  
0.205 (5.21)  
0.160 (4.06)  
• Low forward voltage, high current  
capability.  
• Low leakage current.  
DO-41  
0.107 (2.72)  
0.080 (2.03)  
COLOR BAND DENOTES CATHODE  
• High surge current capability.  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.71)  
1.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers  
Absolute Maximum Ratings*  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
IO  
Average Rectified Current  
1.0  
A
.375 " lead length @ T = 55 C  
°
L
Peak Forward Surge Current  
if(surge)  
8.3 ms single half-sine-wave  
Superimposed on rated load (JEDEC method)  
Total Device Dissipation  
30  
A
PD  
2.5  
17  
50  
W
mW/ C  
°
C/W  
Derate above 25 C  
°
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Rθ  
°
JA  
Storage Temperature Range  
-65 to +150  
-65 to +150  
C
C
°
Tstg  
TJ  
Operating Junction Temperature  
°
*These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Parameter  
Device  
Units  
10A  
10B  
100  
70  
10C  
150  
105  
150  
10D  
10F  
300  
210  
300  
10G  
400  
280  
400  
10J  
600  
420  
600  
10K  
800  
560  
800  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
200  
140  
200  
V
V
V
100  
DC Reverse Voltage (Rated VR)  
Maximum Reverse Current  
5.0  
100  
A
A
µ
µ
@ rated VR  
TA = 25°C  
T = 125 C  
°
A
Maximum Reverse Recovery Time  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A  
Maximum Forward Voltage @ 1.0 A  
50  
75  
nS  
0.95  
22  
1.25  
1.7  
V
Typical Junction Capacitance  
VR = 4.0 V, f = 1.0 MHz  
15  
pF  
EPG10A - EPG10K, Rev. A  
1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
123

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EGP10A 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
UF4001 FAIRCHILD

类似代替

 1.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
HER101G-AP MCC

功能相似

 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKA

与EGP10A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
EGP10A- FAIRCHILD

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 		1.0 Ampere Glass Passivated High Efficiency Rectifiers
EGP10A.TR FAIRCHILD

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-41
EGP10A/4F VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN
EGP10A/4G VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM), Silicon, DO-204AL, PLASTIC, DO-41, 2 PIN

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